RS1B-13
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| Número de pieza | RS1B-13 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | RS1B-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4621 pcs | Ficha de datos | RS1A/B - RS1M/B |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A | Tensión - Desglose | SMA |
| Serie | - | Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Polarización | DO-214AC, SMA | Otros nombres | RS1BDITR RS1BTR RS1BTR-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | 150ns | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | RS1B-13 |
| Descripción ampliada | Diode Standard 100V 1A Surface Mount SMA | configuración de diodo | 5µA @ 100V |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.3V @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 100V | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
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