NMSD200B01-7
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| Número de pieza | NMSD200B01-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.041 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | NMSD200B01-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 525903 pcs | Ficha de datos | NMSD200B01-7 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-363 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 5V | La disipación de energía (máximo) | 200mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | 1034-NMSD200B01DITR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-363 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
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