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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MMBT5551-7

MMBT5551-7

MMBT5551-7
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Número de pieza MMBT5551-7
Fabricante Diodes Incorporated
Descripción TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
In Stock 4807 pcs
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Número de pieza MMBT5551-7 Fabricante Diodes Incorporated
Descripción TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible 4807 pcs Ficha de datos MMBT5551
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - Colector-emisor (máx) 160V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA Tipo de transistor NPN
Paquete del dispositivo SOT-23-3 Serie Automotive, AEC-Q101
Potencia - Max 300mW embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Otros nombres MMBT5551-7DICT
MMBT5551CT
MMBT5551CT-ND
MMBT5551DICT
MMBT5551DICT-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición 300MHz Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Corriente - corte del colector (Max) 50nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 600mA Número de pieza base MMBT5551

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