DMT8012LSS-13
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| Número de pieza | DMT8012LSS-13 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.142 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMT8012LSS-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 166310 pcs | Ficha de datos | DMT8012LSS |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 12A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | DMT8012LSS-13DITR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1949pF @ 40V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción detallada | N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.7A (Ta) |
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