DMP6110SVTQ-7
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| Número de pieza | DMP6110SVTQ-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.107 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMP6110SVTQ-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 213201 pcs | Ficha de datos | DMP6110SVTQ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TSOT-26 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 969pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | P-Channel 60V 7.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount TSOT-26 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Ta) |
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