DMNH10H028SPSQ-13
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| Número de pieza | DMNH10H028SPSQ-13 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.333 | $0.321 | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMNH10H028SPSQ-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 66507 pcs | Ficha de datos | DMNH10H028SPSQ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Voltaje - Prueba | 2245pF @ 50V |
| Tensión - Desglose | PowerDI5060-8 | VGS (th) (Max) @Id | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | - | Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 40A (Tc) | Polarización | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres | DMNH10H028SPSQ-13DITR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks | Número de pieza del fabricante | DMNH10H028SPSQ-13 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 36nC @ 10V | Tipo de IGBT | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4V @ 250µA | Característica de FET | N-Channel |
| Descripción ampliada | N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100V |
| relación de capacidades | 1.6W (Ta) |
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