DMN90H8D5HCTI
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| Número de pieza | DMN90H8D5HCTI |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.435 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN90H8D5HCTI | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 76766 pcs | Ficha de datos | DMN90H8D5HCTI |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | ITO-220AB | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 30W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7.9nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 900V |
| Descripción detallada | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
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