DMN33D8LDW-7
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| Número de pieza | DMN33D8LDW-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.027 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN33D8LDW-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 887816 pcs | Ficha de datos | DMN33D8LDW |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 100µA |
| Paquete del dispositivo | SOT-363 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V | Potencia - Max | 350mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | DMN33D8LDW-7-ND DMN33D8LDW-7DITR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 48pF @ 5V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.23nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA |
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