DMN3190LDW-13
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| Número de pieza | DMN3190LDW-13 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.216 | $0.156 | $0.092 | $0.052 | $0.04 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN3190LDW-13 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 514017 pcs | Ficha de datos | DMN3190LDW |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.8V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | SOT-363 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.3A, 10V | Potencia - Max | 320mW |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | DMN3190LDW-13DICT | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 20V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
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