DMN3030LFG-7
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| Número de pieza | DMN3030LFG-7 |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.07 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | DMN3030LFG-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 341511 pcs | Ficha de datos | DMN3030LFG |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PowerDI3333-8 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 900mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres | DMN3030LFG-7DITR DMN3030LFG7 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 751pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17.4nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
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