BS107PSTZ
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| Número de pieza | BS107PSTZ |
|---|---|
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.141 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | BS107PSTZ | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 147715 pcs | Ficha de datos | BS107P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | E-Line (TO-92 compatible) | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 30 Ohm @ 100mA, 5V | La disipación de energía (máximo) | 500mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | E-Line-3 |
| Otros nombres | BS107PSTZ-ND BS107PSTZDITR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 20 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 25V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.6V, 5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V | Descripción detallada | N-Channel 200V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
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