CAS325M12HM2
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| Número de pieza | CAS325M12HM2 |
|---|---|
| Fabricante | Cree Wolfspeed |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $630.664 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | CAS325M12HM2 | Fabricante | Cree Wolfspeed |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 58 pcs | Ficha de datos | CAS325M12HM2 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 105mA |
| Paquete del dispositivo | Module | Serie | Z-REC™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V | Potencia - Max | 3000W |
| embalaje | Bulk | Paquete / Cubierta | Module |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | Not Applicable |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1127nC @ 20V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | Silicon Carbide (SiC) | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) 3000W Module | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 444A (Tc) |
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