CURMT106-HF
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| Número de pieza | CURMT106-HF |
|---|---|
| Fabricante | Comchip Technology |
| Descripción | DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | CURMT106-HF | Fabricante | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4915 pcs | Ficha de datos | CURMT101~107-HF |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A (DC) | Tensión - Desglose | SOD-123H |
| Serie | - | Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
| Polarización | SOD-123H | Temperatura de funcionamiento - Junction | 75ns |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | CURMT106-HF | Descripción ampliada | Diode Standard 800V 1A (DC) Surface Mount SOD-123H |
| configuración de diodo | 5µA @ 800V | Descripción | DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123H |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.7V @ 1A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 800V |
| Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 150°C |
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