CSFM102-G
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| Número de pieza | CSFM102-G |
|---|---|
| Fabricante | Comchip Technology |
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A MINISMA |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | CSFM102-G | Fabricante | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A MINISMA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4369 pcs | Ficha de datos | CSFM101~105-G |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1A | Tensión - Desglose | Mini SMA/SOD-123 |
| Serie | - | Estado RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Resistencia @ Si, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Polarización | SOD-123T | Temperatura de funcionamiento - Junction | 35ns |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | CSFM102-G | Descripción ampliada | Diode Standard 100V 1A Surface Mount Mini SMA/SOD-123 |
| configuración de diodo | 5µA @ 100V | Descripción | DIODE GEN PURP 100V 1A MINISMA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 950mV @ 1A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 100V |
| Capacitancia Vr, F | -55°C ~ 150°C |
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