ALD1110ESAL
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| Número de pieza | ALD1110ESAL |
|---|---|
| Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.565 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | ALD1110ESAL | Fabricante | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 20366 pcs | Ficha de datos | ALD1108,10E |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.01V @ 1µA |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | Serie | EPAD® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V | Potencia - Max | 600mW |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Característica de FET | Standard | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 10V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
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