NTMFS4841NHT3G
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| Número de pieza | NTMFS4841NHT3G |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | NTMFS4841NHT3G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4053 pcs | Ficha de datos | NTMFS4841NH |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 7 mOhm @ 30A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 870mW (Ta), 41.7W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2113pF @ 12V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 33nC @ 11.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 8.6A (Ta), 59A (Tc) 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8.6A (Ta), 59A (Tc) |
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