MTP23P06V
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| Número de pieza | MTP23P06V |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 23A TO-220AB |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | MTP23P06V | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 23A TO-220AB | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4153 pcs | Ficha de datos | MTP23P06V |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±15V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220AB | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 120 mOhm @ 11.5A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 90W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | MTP23P06VOS | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 50nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | P-Channel 60V 23A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
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