MMDF2C03HDR2
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| Número de pieza | MMDF2C03HDR2 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.594 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | MMDF2C03HDR2 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 58321 pcs | Ficha de datos | MMDF2C03HD |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 8-SOIC | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 70 mOhm @ 3A, 10V | Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | MMDF2C03HDR2OSCT | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 24V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A, 3A |
| Número de pieza base | MMDF2C03HD |
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