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MMBD301LT1G

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Número de pieza MMBD301LT1G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 2537077 pcs
Precio de referencia
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Número de pieza MMBD301LT1G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOT23 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 2537077 pcs Ficha de datos MBD301G, (S)MMBD301LTxG
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - inversa de pico (máxima) 30V
Paquete del dispositivo SOT-23-3 (TO-236) Serie -
Resistencia @ Si, F - La disipación de energía (máximo) 200mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres MMBD301LT1GOS
MMBD301LT1GOS-ND
MMBD301LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 125°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Schottky - Single
Descripción detallada RF Diode Schottky - Single 30V 200mW SOT-23-3 (TO-236) Capacitancia Vr, F 1.5pF @ 15V, 1MHz
Número de pieza base MMBD301

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