IRLS640A
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| Número de pieza | IRLS640A |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.714 | $0.646 | $0.519 | $0.404 | $0.335 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRLS640A | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 57448 pcs | Ficha de datos | IRLS640A |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-220F | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 180 mOhm @ 4.9A, 5V | La disipación de energía (máximo) | 40W (Tc) |
| embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres | IRLS640A-ND IRLS640AFS |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1705pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 56nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Tc) |
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