IRLM210ATF
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| Número de pieza | IRLM210ATF |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | IRLM210ATF | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5486 pcs | Ficha de datos | IRLM210AMA04A Pkg Drawing |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SOT-223-4 | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 390mA, 5V | La disipación de energía (máximo) | 1.8W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | TO-261-4, TO-261AA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 770mA (Ta) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-223-4 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 770mA (Ta) |
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