FDZ193P
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| Número de pieza | FDZ193P |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.087 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDZ193P | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 275639 pcs | Ficha de datos | FDZ193P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-WLCSP | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 90 mOhm @ 1A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.9W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-UFBGA, WLCSP |
| Otros nombres | FDZ193PTR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.7V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
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