FDMS8660S
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| Número de pieza | FDMS8660S |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 25A POWER56 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDMS8660S | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 25A POWER56 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5673 pcs | Ficha de datos | FDMS8660S |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-PQFN (5x6) | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 25A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| embalaje | Original-Reel® | Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres | FDMS8660SDKR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4345pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 113nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta), 40A (Tc) |
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