FDMS86200DC
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| Número de pieza | FDMS86200DC |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.438 | $1.283 | $1.052 | $0.852 | $0.718 | |
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDMS86200DC | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 49273 pcs | Ficha de datos | FDMS86200DC |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | Dual Cool™56 | Serie | Dual Cool™, PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 17 mOhm @ 9.3A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 3.2W (Ta), 125W (Tc) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres | FDMS86200DCCT | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2955pF @ 75V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 150V |
| Descripción detallada | N-Channel 150V 9.3A (Ta), 28A (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Dual Cool™56 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta), 28A (Tc) |
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