FDMS7606
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| Número de pieza | FDMS7606 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDMS7606 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5082 pcs | Ficha de datos | FDMS7606 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | Power56 | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 11.5A, 10V | Potencia - Max | 1W |
| embalaje | Original-Reel® | Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres | FDMS7606DKR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A, 12A 1W Surface Mount Power56 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A, 12A |
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