FDMS4435BZ
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| Número de pieza | FDMS4435BZ |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.219 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDMS4435BZ | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 103268 pcs | Ficha de datos | FDMS4435BZ |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-PQFN (5x6) | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 9A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres | FDMS4435BZ-ND FDMS4435BZTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 39 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | P-Channel 30V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 18A (Tc) |
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