FDMQ8403
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| Número de pieza | FDMQ8403 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.496 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDMQ8403 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 64704 pcs | Ficha de datos | FDMQ8403 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 12-MLP (5x4.5) | Serie | GreenBridge™ PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V | Potencia - Max | 1.9W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 12-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres | FDMQ8403TR | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 39 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A |
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