FDMD8680
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| Número de pieza | FDMD8680 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.373 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDMD8680 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 89154 pcs | Ficha de datos | FDMD8680 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo | 8-PQFN (5x6) | Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 16A, 10V | Potencia - Max | 39W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres | FDMD8680-ND FDMD8680OSTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 39 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5330pF @ 40V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 66A (Tc) 39W Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) |
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