FDMC010N08LC
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| Número de pieza | FDMC010N08LC |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | FET 80V 10.0 MOHM PQFN33 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.394 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDMC010N08LC | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | FET 80V 10.0 MOHM PQFN33 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
| cantidad disponible | 91946 pcs | Ficha de datos | FDMC010N08LC |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 90µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-PQFN (3.3x3.3) | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 10.9 mOhm @ 16A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 8 Weeks |
| Estado sin plomo | Lead free | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2135pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 31nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V | Descripción detallada | N-Channel 80V 11A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 50A (Tc) |
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