FDM3622
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| Número de pieza | FDM3622 |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.245 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDM3622 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 84827 pcs | Ficha de datos | FDM3622 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-MLP (3.3x3.3) | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.4A, 10V | La disipación de energía (máximo) | 2.1W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres | FDM3622-ND FDM3622TR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 6 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | N-Channel 100V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
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