FDG330P
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| Número de pieza | FDG330P |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | Get a quote | ||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDG330P | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5586 pcs | Ficha de datos | FDG330P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SC-70-6 | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 110 mOhm @ 2A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 750mW (Ta) |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | FDG330PCT | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 477pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 7nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V | Descripción detallada | P-Channel 12V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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