FDC640P
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| Número de pieza | FDC640P |
|---|---|
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.053 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | FDC640P | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 375673 pcs | Ficha de datos | FDC640P |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | SuperSOT™-6 | Serie | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 53 mOhm @ 4.5A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 1.6W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres | FDC640P-ND FDC640PTR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 30 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
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