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BAS16HT1G

BAS16HT1G
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Número de pieza BAS16HT1G
Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 5323166 pcs
Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs
$0.009$0.008$0.007
30000 pcs75000 pcs150000 pcs
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Número de pieza BAS16HT1G Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5323166 pcs Ficha de datos BAS16H
Categoría Productos semiconductores discretos Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.25V @ 150mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 100V Paquete del dispositivo SOD-323
Velocidad Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 6ns embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-76, SOD-323 Otros nombres BAS16HT1G-ND
BAS16HT1GOSTR
BAS16HT1GTR
BAS16HT1GTR-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo de diodo Standard
Descripción detallada Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOD-323 Corriente - Fuga inversa a Vr 1µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io) 200mA (DC) Capacitancia Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz
Número de pieza base BAS16H

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