STS2DPFS20V
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| Número de pieza | STS2DPFS20V |
|---|---|
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Precio de referencia (En dólares estadounidenses) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.342 | |||||
- Parámetro del producto
- Ficha de datos
Product parameter
| Número de pieza | STS2DPFS20V | Fabricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 69548 pcs | Ficha de datos | STS2DPFS20V |
| Categoría | Productos semiconductores discretos | VGS (th) (Max) @Id | 600mV @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO | Serie | STripFET™ II |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 200 mOhm @ 1A, 4.5V | La disipación de energía (máximo) | 2W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | 497-3225-2 STS2DPFS20V-E |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V | Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | P-Channel 20V 2.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
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